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ADP晶体的全方位生长方法研究

马江涛 , 滕冰 , 钟德高 , 曹丽凤 , 温吉龙 ,

人工晶体学报

采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度.并对所得晶体进行了透过率,激光散射,摇摆曲线测试及热重差热分析,与常规生长方法比较并分析了全方位生长方法的优势.

关键词: ADP晶体 , 全方位生长 , 理想外形 , 生长速度

ADP晶体的全方位生长装置

马江涛 , 滕冰 , 钟德高 , 曹丽凤 , 温吉龙

人工晶体学报

本论文研究的全方位生长装置能解决常规的ADP晶体的单向生长问题.在这套装置中,籽晶完全位于溶液中央,籽晶可以首先恢复其理想的结晶学外形.在晶体生长过程中,晶体在各个方向的生长均为自由生长,且育晶器中央的溶液稳定性也明显高于育晶器顶部和底部.这些因素都有利于ADP晶体的优质快速生长.实验所得晶体的质量通过透过率、晶体内缺陷位错密度、高分辨率X射线衍射表征,并将所得结果与常规方法进行了比较.

关键词: ADP晶体 , 全方位生长 , 理想外形 , 生长装置

棱角对NH4H2PO4晶体Z切片薄表面层生长影响的研究

程高 , 李明伟 , 尹华伟

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160047

本研究制备了具有不同形式棱角的NH4H2PO4(ADP)晶体Z切片样品.通过实验,观察不同Z切片薄表面层形成及生长特性,并计算了不同棱角情况下薄表面层的切向生长速度V及其动力学系数β.结果表明,正常棱角的缺失,影响Z切片对其原有形态的“判断”,进而影响薄表面层的形成及生长;薄表面层在正常棱角处相遇形成相交角后,将主要在相交角处形成并向棱边扩展生长,表明棱角可能为薄表面层的主要生长源.此外,计算结果显示,正常棱角处薄表面层切向生长的平均生长动力学系数βn为131.8 μm/s,远大于棱角缺失后薄表面层切向生长的平均生长动力学系数βα=1 1.6 μm/s,即正常棱角缺失后,薄表面层的切向生长速度将大大降低.

关键词: ADP晶体 , 薄表面层 , 棱角 , 生长动力学

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